일반기술

GST 기반 칼코지나이드 박막트랜지스터

<기술의 개요>- GST기반 칼코지나이드 트랜지스터 - GST기반 칼코지나이드 트랜지스터 제작공정 장비 교육 - GST기반 n형 칼코지나이드 반도체 제작 - GST기반 p형 칼코지나이드 반도체 제작 - GST기반 칼코지나이드 트랜지스터 제작 공정 - GST기반 칼코지나이드 트랜지스터 이용 센서개발 지원<기술의 특징>- 칼코지나이드의 가장 대표적인 소재로는 Ge2Sb2Te5 (GST) 계열의 상변화 소재가 연구되고 있음. 상변화 Ge2Sb2Te5는 전통적으로 CD, DVD에 사용되는 광메모리 소재로 사용되고 있음. - 박막 트랜지스터는 자동차, 반도체, 디스플레이, 환경 등에 활용될 수 있는 센서의 가장 기본적인 요소이다. 따라서 본 기술에서는 새로운 개념의 박막 트랜지스터로써 통상적인 실리콘을 이용한 박막트랜지스터 혹은 ZnO를 이용한 박막트랜지스터 보다 더욱 저가로 공정이 가능한 소재를 이용하여 제작된 칼코지나이드 박막 트랜지스터를 기술이전 하고자 한다. - 상변화 Ge2Sb2Te5 소재를 이용하여 제작할 수 있는 마이크로 사이즈 단일박막, 이종박막 산화물 칼코지나이드 트랜지스터의 제작방법 및 절차, 트랜지스터 특성 및 제작에 필요한 장비의 요구사양에 대해 기술이전을 추진한다. - 최근 상변화 Ge2Sb2Te5는 DRAM이후의 비휘발성 전기메모리 PRAM 의 중요한 소재로 활용되고 있음. - 최근에는 상변화 Ge2Sb2Te5 소재를 장점을 활용하여 박막트랜지스터 제작에 적용하고 있음. 칼코지나이드 박막 트랜지스터 활용 각종센서 개발에 적용되고 있음 - 칼코지나이드 소재는 여러 전자소자 분야에 활용이 가능한 소재로 알려지고 있음. - 활용분야로는 박막태양전지, 로직게이트, 박막 트랜지스터, 화학 및 전자소자 센서 등에 적용가능. 2-저가 기판에서 공정이 가능 - 저온 공정이 가능한 공정의 소재 - 안정성이 보장된 소재