일반기술
Ⅲ족 금속원소 질화물의 미세결정 제조방법 및 장치
질화갈륨 (GaN), 질화인듐 (InN) 및 질화알루미늄 (AlN)과 같은 III족 금속원소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 III족 금속원소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 III족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수∼ 수십 μm 크기의 미세한 III족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.간단한 방법으로 미세질화갈륨 결정을 합성하는 방법을 제공하는 발명으로 승화방법에 의한 후막결정 혹은 벌크단결정을 성장하는데 필요한 원료물질로 사용될 뿐만 아니라 분말형태의 결정을 이용한 발광물질로도 활용할 수 있다. 기술의 핵심내용은 금속갈륨내부로 암모니아 가스를 주입하여 버블링시킴으로써 직접반응을 꾀한 독특한 방법이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-12-15
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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