일반기술

플라즈마 화학 증착법을 이용한 갈륨비소 반도체 소자의 쇼트키 (SCHOTTKY) 접합 및 금속 배선용 텅스텐막과 형성 방법

플라즈마 화학 증착법을 통하여 갈륨비소 기판상에 저저항의 전기적 특성이 우수한 금속배선용 텅스텐 박막을 형성시키기 위한 것이다. <구성>플르즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서 WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1.0E-1torr, 증착온도 200-300도C하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐 박막을 형성하여 구성한다. <효과>갈륨비소 반도체 소자에 형성된 텅스텐박막은 저저항을 나타내고 우수한 전기적 특성을 나타낸다.1. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 갈륨비소 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1/10exp1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 갈륨비소 쇼트키베리어용 텅스텐박막을 형성함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 금속배선용 텅스텐박막 형성방법. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 자기정렬 게이트 구조의 MESFET를 제조하는 방법에 있어서, WF6-H2 또는 WF6-SiH4-H2 반응계를 이용하여 증착압력 1-1/10exp1Torr, 증착온도 200~300℃하에서 플라즈마 화학증착하여 금속배선용 텅스텐박막을 형성한 다음 700℃이하의 온도에서 급속열처리함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 갈륨비소 반도체소자의 쇼트키베리어 및 금속배선용 텅스텐박막 형성방법.