일반기술

실리콘 반도체 소자의 텅스텐 질화 박막 금속 배선 형성 방법

이 발명은 실리콘 반도체소자의 실리콘 웨이퍼상에 텅스텐/질화텅스텐 이중박막으로 된 금속배선을 형성하는 방법이다. <구성>이 방법은 실리콘 웨이퍼상에 플라즈마 화학증착법 또는 저압 화학증착법으로 질화텅스텐박막을 먼저 증착시키고, 그 위에 텅스텐 박막을 증착시켜 이중구조의 금속배선을 형성한 다음, 고온에서 열처리한다. <효과>이중구조의 금속배선으로 인해 열처리시, 실리콘과 텅스텐의 반응으로 생성되는 불순물인 규화텅스텐이 생기지 않는다.1. 저압화학증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속배선을 형성함에 있어서, 상기 텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로서 NH₃/WF₄의 입력분압조성비를 0.25-2로 하고, 300-600℃의 증착 온도에서 0.1-1Torr의 증착 압력하에서 플라즈마 화학증착하여 70-300μΩ-cm의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화박막을 500-1000Å의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법.