일반기술
모스펫 소자 및 그 제조 방법
본 발명은 할로 도핑 영역을 이중으로 구성하여, 드레인/소스와 일반적으로 형성된 할로 도핑 영역에서 형성될 p+n+접합의 형태를 p+-i-n+접합 혹은n+-i-p+접합 형태로 바꿈으로써 sub-leakage currents의 발생을 방지와 BTBT(band to band tunneling)현상을 감소시켜 반도체 소자의 전기적 동작 특성을 향상시키고 그에 따른 모스펫(MOSFET) 소자의 특성 및 신뢰성을 향상 시킬 수 있도록 하는 기술이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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