일반기술

플래시 메모리 소자의 제조방법

이중막 구조의 Tunnel barrier를 이용한 Nand Flash device의 형성 방법은 다음과 같다. 1. 반도체 기판위에 SiO2를 증착하는 단계. 2. SiO2 막 상에 Al2O3막을 증착하는 단계. 3. SiO2 막 상에 Niobium-silicate 또는 Lanthanium-silicate등의 High-k 막을 증착하여 이중막의 tunnel barrier를 형성시키는 단계. 4. 이 위에 charge trap layer로서 Nitirde layer를 증착하는 단계. 5. 이 후 Blocking oxide로 Al2O3 막을 증착하고 나서 RTP를 이용하여 densify 시키는 단계. 6. 이 후 gate 전극 물질로 SONOS 공정을 위해 n+ poly silicon을 MANOS 공정을 위해 TaN 같은 metal gate로 증착하는 단계 7. 이 후 hard mask 막을 이용하여 gate stack patterning을 완성하는 단계로 이루어진다.