일반기술

플래시 메모리 소자의 제조방법

종래 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 기술적 원리 -본 발명은 종래의 tunnel oxide의 scaling 한계를 극복하기 위한 것으로서 High-k 물질을 사용하여 기존 SiO2 사용시 대비 EOT (equivalent oxide thickness)를 낮추면서 SiO2와의 이중막 구조를 통해 tunnel barrier의 hight는 유지함으로써, Program/erase 속도등의 동작 특성은 개선하면서 retention특성 및 leakage 특성등의 device 안정성을 확보하고자 하였다. 본 발명의 구성 및 그 전반적인 동작 설명 -이중막 구조의 Tunnel barrier를 이용한 Nand Flash device의 형성 방법은 다음과 같다. 1. 반도체 기판위에 SiO2를 증착하는 단계. 2. SiO2상에 Lanthanium-silicate, Niobium silicate 등의 High-k silicate 막을 증착하여 이중막의 tunnel barrier를 형성시키는 단계. 3. 이 위에 charge trap layer로서 Nitirde layer를 증착하는 단계. 4. 이 후 Blocking oxide로 Al2O3 막을 증착하고 나서 RTP를 이용하여 densify 시키는 단계. 5. 이 후 gate 전극 물질로 SONOS 공정을 위해 n+ poly silicon을 MANOS 공정을 위해 TaN 같은 metal gate로 증착하는 단계 6. 이 후 hard mask 막을 이용하여 gate stack patterning을 완성하는 단계로 이루어진다.