일반기술

산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법

본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄갈륨비소막(2)을 증착하는 단계와; 상기 증착된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 식각마스크로 하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부를 식각하여 V자형 홈을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자형 홈의 좌우측 알루미늄갈륨비소막(2)을 산화하여 산화알루미늄막(4)으로 변환하는 단계와; 상기 V자형 홈이 형성된 갈륨비소기판(1)과 그 상부의 산화알루미늄막(4)의 상부전면에 유기금속 화학증착법을 사용하는 갈륨비소에피층을 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.3. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비속막(2)은 그 알루미늄의 몰수비가 0.9 내지 1인 알루미늄갈륨비소를 사용하여 상기 갈륨비소기판(1)의 상부에 0.05내지 0.5㎛의 두께로 증착하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.4. 제 1항에 있어서, V자형 홈의 형성단계는 일정비율의 H2SO4:H2O2:H2O용액을 사용하는 습식식각 방법을 이용하여, 상기 알루미늄갈륨비소막(2)및 갈륨비소기판(1)의 일부까지(011)방향으로 식각하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.5. 제 1항에 있어서, 유기금속 화합증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 사용하고, 총 유량은 분당 5또는 8리터로 하며, 3족 유기금속 원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하고, 5족 유기금속 원료는 비소개스를 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.