일반기술
반도체 소자제작을 위한 요오드-알코올을 이용한 게르마늄 웨이퍼 세정 및 산화 방법
본 기술은 게르마늄 산화막 (GeO2), 특징적으로 게르마늄 산화막의 형성과 게르마늄 웨이퍼 표면 세정에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 게르마늄 웨이퍼상에 수소종단 표면을 형성시킨 뒤 요오드를 용해시킨 알코올에 침지하여 게르마늄 웨이퍼상에 적정한 두께의 게르마늄 산화막을 형성하면서 게르마늄 웨이퍼상의 파티클과 유기오염물을 제거하는 세정방법에 관한 것으로 이를 통하여 반도체 소자 제작에 있어 유리한 표면상태를 제공하는데 목적이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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