일반기술
저온 공정을 이용한 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 및 플래쉬 메모리 소자
본 기술은 탄소나노 튜브나 산화물 옥사이드를 플로팅 게이트로 사용하여 저온 공정에서도 플로팅 게이트 및 채널 영역을 형성할 수 있어 Si에서는 수직 Stack이 가능할뿐 아니라 유리 기판에서도 플래쉬 메모리 제작이 가능하며 또한 Flexible 기판에도 응용하여 플래쉬 메모리를 제작 가능한 방법을 제공한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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