일반기술
Plasma doping 방법을 이용한 Carbon 도핑
본 기술이 이루고자 하는 기술적 과제는 박막(Si, SiGe) 또는 nanowire, nanorod 등에 plasma doping방법을 이용하여 Carbon을 도핑 함으로써 strained layer을 형성시켜 carrier mobility를 향상시키는 효과를 이루고자 한다. 기존의 gas를 흘려주어 박막에 carbon을 도핑 하던 CVD(Chemical vapor deposition) 또는 gas source MBE(Molecular beam epitaxy)방식은 carbon 도핑량 약 1.5% 안팎의 농도가 박막내에 도핑된다고 보고되고 있는데, 플라즈마 도핑 방법을 사용할 경우 그 이상의 carbon 도핑량을 증가시킬수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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