일반기술

중성자핵반응을 이용한 나노튜브형 중성자 검출장치

*본 기술은 탄소나노튜브를 이용하여 고감도로 중성자를 검출할 수 있는 중성자 검출장치에 관한 것으로서, 그 목적은 중성자에 대한 검출감도가 높고, 응답속도가 빠르고, 대면적의 검출기 제작이 용이한 중성자 검출장치를 제공하는데 있다.본 기술의 구성은 기판(3)의 하부면에 박막형태의 중성자반응층(2)이 형성되어 있고, 중성자반응층 하부면에 2차전자(5)를 방출하는 탄소나노튜브(4)가 형성되어 있고, 상기 탄소나노튜브에서 방출된 2차전자(5)를 탄소나노튜브 선단 하부로 이동시키기 위해 기판(3)과 중성자반응층(2) 사이에 표류전극(6)이 형성되어 있고, 탄소나노튜브의 선단에서 약간 이격되어 신호검출전극(9)과 전압인가수단(10)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.*종래 기체형태의 검출기의 느린 동작속도, 고체형검출기의 대형검출기 제작의 곤란성, 비경제성 및 낮은 감도의 문제점을 개선한 검출감도가 높고, 응답속도가 빠르고, 대면적의 검출기 제작이 용이한중성자 검출장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.*상기 목적을 달성하기 위해 기판 하부면에 입사 중성자와 핵반응하여 하전입자를 방출하는 중성자반응층을 형성하고, 방출된 하전입자에 의한 2차전자 방출을 효율적으로 유도하기 위해 상기 중성자반응층 하부에 탄소나노튜를 성장시킨 나노튜브형 중성자 검출장치를 제공한다.