일반기술

다결정 3C-SiC 박막 식각방법

RF 마그네트론 반응성 이온 식각(RIE)을 이용하여 적은 에너지로 기판에 손상 없이 식각할 수 있고, 측벽 보호막을 형성함으로써 수직적 식각이 가능하도록 하는 방법을 제공하고자 함본 기술의 다결정 3C-SiC 식각방법은 다음과 같은 단계를 포함함⑴ 이산화규소/실리콘 기판위에 캐리어 가스, 전구체 및 수소를 주입함으로써 대기압 고온 화학기상증착법으로 다결정 박막을 성장시키는 다결정 성장단계⑵ 다결정 3C-SiC 박막 상에 식각 마스크를 형성한 후 하드 베이킹(Hard Baking)하는 마스크 형성단계⑶ 원하는 패턴 형상만을 남겨 놓기 위하여 건식 식각을 통해 패턴을 형성하는 식각 수행단계<기술의 특징>- 산소 유량, 고주파 전력, 챔브 압력 및 전극 간격을 조절하여 언더컷(under cut)의 형성 없이 수직적 식각을 할 수 있음- 박막에 손상 없이 M/NEMS 구조물의 제작이 가능하며, 빠른 식각율을 가짐- 표면/벌크 마이크로머시닝 기술을 이용한 차세대 자동차, 선박, 우주항공 산업 및 바이오용 M/NEMS에서도 쉽게 적용가능 함