일반기술

양자세선 제조방법

본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl4 또는 CBr4를 특정공정조건에서 주입하여, CCl4 또는 CBr4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.1. 기판의 상부에 특정 형태의 홈을 형성하고, 그 기판의 상부에 단차를 갖는 알루미늄갈륨비소를 증착한 후, 그 단차의 측면에 유기금속화학증착법을 사용하여 갈륨비소 에피층을 성장시키는 양자세선 제조방법에 있어서, 상기 갈륨비소 에피층 성장시 농도의 비에 따라 갈륨비소의 성장률을 변화시키는 성장제어 화합물을 주입하고, 5족원소와 3족원소를 혼합하여 주입하며, 특정 성장온도분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 성장제어 화합물은 CCl4또는 CBr4인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 성장온도는 600내지 700℃인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.