일반기술
세로형 유기박막 트랜지스터 및 이의 제조방법
세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 가로형 유기 박막 트랜지스터와 달리, ITO드레인 전극 및 AI소스 전극 사이에 AI게이트 전극이 위치하며, 상기 전극 사이에 각각 적층되는 유기 반도체 화합물로 이루어진 유기 활성층을 포함하는 바, 상기 전극 및 유기 활성층 전체를 세로 방향으로 적층함으로써, 저전압으로 고효율을 얻을 수 있으며, 특히 발광 특성을 갖는 고분자 발고아층을 유기 반도체 화합물의 저부에 간단하게 적층하여 유기 발광소자를 제작할 수 있는 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 서강대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-12-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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