일반기술

반도체 금속박막의 배선방법

본 발명은 반도체 금속박막의 배선방법에 관한 것으로, 저압 화학 기상 증착법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 하여 구리를 증착시키도록 한 것이다.이러한 금속배선방법은 먼저 기판(3)상에 플라즈마 화학증착법으로 질화 텅스텐 확산 방지막(7)을 도포하고, 금속층(1)(6)인 Cu를 증착시키며, 접촉창으로서의 비아콘택 영역(5)과 금속층(1)을 연결시킬 때는 역시 플라즈마 화학증착법으로 증착된 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 사용하여 금속배선하도록 한 것으로, 확산방지막인 질화 텅스텐 박막은 실리콘 기판(3)과 금속층(1)이 접촉되는 콘택 영역(2), 금속층(1)(6)과 절연막(4)사이, 금속층(1)(6)이 접촉되는 비아콘택 영역(5)에 적용되는 것이다. 이와 같이 Cu 확산방지를 위한 확산방지막으로 텅스텐 질화박막이 우수한 특성을 지님을 알 수 있다.1.실리콘 기판상에 화학 기상 증착법으로 500Å 이상의 두께를 가진 질화텅스텐을 사전 도포한 후, 구리를금속 배선하여 600℃ 이상의 고온에서 후속 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 금속 박막의 배선방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법은 저압 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 금속박막의 배선방법.3. 제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법은 플라즈마 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 금속박막의 배선방법