일반기술

자기 메모리 셀

1. 개요 본 기술은 자기 메모리 셀을 이용한 논리회로 구성에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스핀 토크 변환(Spin Torque Transfer)을 이용한 자기터널접합 소자(MTJ)로 자유층의 자화 방향을 제어하고, 이를 이용하여 메모리 및 논리 회로 기능이 일체화된 자기 논리 회로를 구현할 수 있는 자기 메모리 셀을 제공함. 2. 특징 기술적 구성은 전류가 도통하도록 구비되는 상, 하부 전극과, 상기 상, 하부 전극 간에 절연을 위한 절연층을 중심으로 상, 하부면에 각각 증착되는 자성강층인 고정층 및 자유층을 포함하는 자기터널접합 소자; 상기 상, 하부 전극 간을 통과하는 전류의 흐름을 제어하고, 입력된 논리 레벨에 따라 상기 자유층의 자화 방향을 변경하는 전류 제어 회로; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.특징 스핀 토크 변환(Spin Torque Transfer)를 이용한 자기터널접합 소자의 자유층 자화 방향을 변경시키기 위한 금속 입력층을 제거함으로써, 공정수를 감소 및 제조 단가를 낮출 수 있음. 각 금속 입력층 별로 전류 제어 회로를 구비하지 않음으로써, 자기터널집합 소자의 집적률이 증가하여 자기 논리 회로의 크기를 최소화시키기에 용이하고, 자기터널접합 소자를 통과하도록 전류를 인가시킴으로써, 전류 소모를 최소화하여 전력 소모를 감소시킬 수 있는 등의 효과를 거둘 수 있음 기존특허에 비하여 집적도가 향상되며 구동 방법이 용이하며 reconfiguration이 가능함. 기존특허는 MTJ 위의 3개의 메탈라인에 흐르는 전류에 의하여 구동되나, 본 기술은 별도의 메탈라인 없이 MTJ를 관통하여 흐르는 전류의 방향에 의하여 로직이 구성됨