일반기술
스퍼터 이온펌프의 배기 방법 및 그에 대한 구조
해당 기술은 스퍼터 이온펌프에서 두 개의 티타늄 음극판과 그 사이에 위치하는 원통형 양극 셀 튜브들간에 PIC 시뮬레이션을 이용하여 간격을 도출하여 배기 성능을 극대화하기 위한 것으로, 이를 위한 구조는 고전압에 의해 생성된 양이온이 두 개의 음극판에 충돌하여 티타늄 원자들이 스퍼터링되어 원통형 양극 셀 튜브들 내부 표면에 티타늄 층으로 형성되는 스퍼터 이온 펌프의 구조에 있어서, 두 개의 음극판과 그 사이에 위치하는 원통형 양극 셀 튜브들간의 갭을 PIC 시뮬레이션을 통해 7㎜의 간격으로 도출하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 따라서, 기체의 이온화 확률 및 음극판에서 스퍼터링된 티타늄 원자가 양극으로 증착되는 양을 최적화하여 배기 성능을 극대화 할 수 있는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 기계 > 기타 기계
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-01-05
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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