일반기술

N-치환된 술폰일옥시말레이미드 단량체를 이용한 삼원공중합체의 제조방법 및 그를 이용한 내열성 레지스트 화상형성방법

(A)N-P-톨루엔술폰일옥시말레이미드(TsOMI), N-메탄술폰일옥시말레이미드(MsOMI),N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드(TfOMI) 중에서 선택한 광산 발생형 단량체 X-OMI와 N-t-부틸옥시카보닐말레이미드(t-BOCMI), 말레이미드(MI), N-히드록시말레이미드(HOMI) 중에서 선택한 말레이미드 단량체 Y-MI와 스티렌(St), 히드록시스티렌(HOSt), t-부틸옥시카보닐옥시스티렌(t-BOCSt) 중에서 선택한 스티렌 유도체(Z-St)를 라디칼공중합시켜 X-OMI:Y-MI:Z-St=0.7∼1.5:0.7∼1.5:1.5∼2.5 (몰%)의 조성을 가진 N-치환된 술폰일옥시말레이미드 단량체를 이용한 삼원공중합체 P(X-OMI/Y-MI/Z-St)의 제조방법 및 이를 이용한 내열성 레지스트 화상형성방법.1. N-P-톨루엔술폰일옥시말레이미드(TsOMI), N-메탄술폰일옥시말레이미드(MsOMI), N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드(TfOMI) 중에서 선택한 광산 발생형 단량체 X-OMI와 N-t-부틸옥시카보닐말레이미드(t-BOCMI), 말레이미드(MI), N-히드록시말레이미드(HOMI) 중에서 선택한 말레이미드 단량체 Y-MI와 스티렌(St), 히드록시스티렌(HOSt), t-부틸옥시카보닐옥시스티렌(t-BOCSt) 중에서 선택한 스티렌 유도체(Z-St)를 라디칼공중합시켜 X-OMI:Y-MI:Z-ST=0.7~1.5:0.7~1.5:1.5~2.5 (몰%)의 조성을 가진 N-치환된 술폰일옥시말레이미드 단량체를 이용한 삼원공중합체P(X-OMI/Y-MI/Z-St)의 제조방법.2. 제1항의 삼원공중합체를 유기용재에 1~30중량%되게 용해시켜 제조한 레지스트 용액을 실리콘 웨이퍼에 스핀 도포한 다음 전열처리하고 원자외선 및 엑사이머 레이저 또는 전자선에 노광 후 가열처리 하고 현상하는 내열성 레지스트 화상형성방법.3. 제2항에 있어서, 현상액으로 가성소다 수용액, 트리메틸암모늄히드록시 수용액, 아니솔, 메틸이소부틸케톤, 클로로포름으로 구성된 군에서 선택하여 현상하는 내열성 레지스트 화상형성방법.