일반기술

탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의한 탄소나노튜브 반도체 소자

[기술이 속하는 기술 및 그 분야의 기존기술]해당 기술은 탄소 나노튜브 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의한 탄소 나노튜브 반도체 소자에 관한 것이다. 탄소 나노튜브는 그 우수한 전기적, 기계적, 화학적 특성으로 인해 전자정보통신, 환경, 또는 에너지 분야등에서 그 산업적 응용성의 기대가 큰 소재로 떠오르고 있다. 탄소 나노튜브는 흑연 면(graphite sheet)이 나노크기의 직경으로 둥글게 말린 상태로 이 흑연 면이 말리는 각도 및 구조에 따라 전도성이 변화되어, 금속성 또는 반도체성의 특성을 가진다. [기술의 효과]이상 살펴본 바와 같이, 해당 기술의 탄소 나노튜브 반도체 소자의 제조 방법을 이용하면, 성장되어 형성된 탄소 나노튜브에서 금속성을 제거하여 반도체성만을 가지게 함으로써 탄소 나노튜브를 반도체 소자의 채널로 적합하게 이용할 수 있다. 따라서, 해당 기술의 탄소 나노튜브 반도체 소자의 제조방법은 탄소 나노튜브 반도체 소자의 성능을 크게 향상시킬 수 있으며, 관련 센서 등의 응용분야에서도 반도체 소자의 특성이 개선됨에 따라 센서의 감도향상 등의 효과도 기대할 수 있다.상기에서는 해당 기술의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 해당 기술은 이에 한정되는 것이 아니고 해당 기술의 기술 사상 범위 내에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 첨부된 특허 청구 범위에 속하는 것은 당연하다.

기술정보

기술분류
화학 > 기타 화학
보유기관
한국화학연구원
기술유형
일반기술
등록일
2009-01-15
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

관련 특허

발명명칭 정보 없음

출원번호 1020070041154