일반기술

텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학 증착 온도 측정 장치

PECVD와 같이 플라즈마상태속에서 반도체등의 기판표면에 금속을 증착할 경우 플라즈마의 간섭현상, 금속박막에 의한표면반사도변화등에 의해서 PYROMETER, 열전대등으로 기판의 온도를 정확히 알아내기 어렵다. 본특허는 기판에 열전대를 삽입할 수 있는 최적의 구멍을 뚫어서 그안에 열전대를 매몰시켜서 플라즈마 및 금속증착과정에 상관 없이 기판의표면온도를 측정할 수 있도록 구성된 기구이다.1. 반응기(1)내부에 확산전극(2)과 열선(3)으로 가열되는 열판(4)이 구비된 플라즈마 화학증착장치에 있어서, 증착용 실리콘웨이퍼(5)와 함께 표면에 홈(5a′)(5a″)이 형성된 두개의 측정용 실리콘웨이퍼(5)(5′)를 열판(4)상에 위치시킨 상태에서 고주파전자기장 차단을 위한 보호용판(6)(6′)관으로 둘러싸인 열전대(7)(7′)를 상기 측정용 실리콘웨이퍼(5′)(5″)의 홈(5a′)(5a″)에 직접 삽입하는 한편 반응기(1의 외측으로 연장된 보호용관(5)(6′)을 접지시켜 증착용 실리콘 웨이퍼(5)의 표면온도를 측정하도록 구성됨을 특징으로 하는 텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학증착 온도 측정장치.