일반기술

단결정 다이아몬드막의 단계별 성장 방법

Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선 택적으로 성장시키는 제1단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아본드막의 성장 방법.1. Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선택적으로 성장시키는 제1단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.2. (100) Si 기판 상에, <100> 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제1단계와, 다이아몬드 (100) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 (100) 다이아몬드면으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.3. (111) Si 기판 상에, <111> 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제1단계와, 다이아몬드(111) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 (111) 다이아몬드만으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.