일반기술

가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조방법

본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.1. 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하고, ECR-CVD 법으로, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 10nm 이하가 되도록 비정질 실리콘 박막을, 후속 공정 없이 성장 조절함으로써 상온에서 안정된 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 실리콘 박막을 형성시키는 것을특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 성장은, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하여 행해지는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는미세 실리콘 결정립의 제조 방법. 3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도를 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법