일반기술

적외선 광 검출기를 위한 CdHgTe 헤테로에피탁시 구조

□ 설명 CdxHg1-xTe (MCT HES)에 기반을 두고 있는 헤테로에피탁스 구조는 직경이 50.8 mm인 GaAs 기판의 분자 빔 에피탁스(MBE) 방법을 통해 고유한 장비 내에서 발생합니다. MBE MCT HES는 3-5 μm 및 8-14 μm 배경광에 의해 제한된 파라미터를 갖는 저항 및 광기전(光起電) 적외선(IR) 광 검출기 제조를 위해 설계되었습니다. □ MCT HES 매개변수 기판GaAs(103), 직경 51 mm CdxHg1-xTe 두께20 마이크론 까지 구성 비율(XCdTe) 0.17÷0.30 두께 이상의 구성 균일성 ±0.005 50-mm 플레이트 구역 이상의 구성 균일성 ΔX/X≤1.2% MCT 계층, T=77 K의 전자 물리적 매개변수 구성 비율(XCdTe)XCdTe=0.2 XCdTe=0.3 p-타입: 농도, ×1015 cm-3≤ 10 ≤ 10 유동성, cm2/V×sec 300÷600 200÷400 자유 전자 수명, nsec ≥10 ≥50 n-타입: 농도, ×1014 cm-3≤5 ≤5 유동성, ×105 cm2/V×sec ≥1 ≥0.4 자유 전자 수명, nsec ≥ 500 ≥1500