일반기술

보호 포스파젠 화합물을 용해 억제제로 사용한 삼성분계 감광성 수지 조성물

레지스트 재료의 중요한 세가지의 기본 특성, 즉 감도, 해상도 반응성 이온 식각 내성이 동시에 향상된 X선, 전자선 특히 원자외선 및 엑사이머 레이저 리소그라피용 레지스트 재료를 제공하는 것이다. <구성>방향환을 포함하는 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 t-부톡시카르보닐(t-BOC)기로 보호된 포스파젠 화합물을 5 내지 40중량부와 광산 발생제를 1 내지 20중량부로 조성되고 t-BOC기로 보호된 포스파젠 화합물이 일반식(I)로 표시된 것인 보호 포스파젠 화합물을 용해 억제제로 사용하고 광산 발생제로는 오니움염과 유기술폰산 에스터, 피로갈를 술폰산 에스터 화합물을 적어도 1종 사용하여 구성한다. <효과>RIE속도가 노블락 수지를 기본으로 한 포지티브 레지스트 재료에 지교하여 우수하거나 유사하였고, 특히 산소 RIE 시험에서는 내성이 기존 레지스트보다 2배 정도 우수하다.반도체 가공용 포토레지스트의 감광체