일반기술

나노스탬프 제조방법

해당 기술에 따른 나노스탬프 제조방법은 (a) 나노스탬프 모재의 표면에 레지스트층 형성단계 (b) 상기 (a)단계의 레지스트층 위에 복수의 요철부를 갖는 임프린트 스탬프로 임프린트 공정을 수행하여 1차 레지스트층 패턴을 형성하는 단계 (c) 상기 1차 레지스트층 패턴을 마스크로 사용해 상기 나노스탬프 모재를 패터닝하는 단계 (d) 상기 레지스트층을 제거하여 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계 (e) 상기 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프의 표면에 레지스트층 형성단계 (f) 상기 레지스트층 위에 상기 복수의 요철부를 갖는 임프린트 스탬프를 이동하여 상기 임프린트 스탬프의 철부가 상기 복수의 1차 요철부를 갖는 나노스탬프의 1차 요부 사이에 오도록 한 후, 임프린트 공정을 수행하여 2차 레지스트층 패턴을 형성하는 단계 (g) 상기 2차 레지스트층 패턴을 마스크로 사용해 상기 나노스탬프 모재를 패터닝하는 단계 (h) 상기 레지스트층을 제거하여 복수의 2차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계 및 (i) 상기 (e)단계 내지 (h)단계를 N+1차 요철부가 1차 요철부와 겹치기 전까지 N-2회 반복하여 복수의 N차 요철부를 갖는 나노스탬프를 완성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 조밀하게 패턴된 나노스탬프를 복잡한 장비를 사용하지 않고 제조할 수 있다는 장점이 있다.

기술정보

기술분류
화학공정 > 기타 분자·나노 화학공정 기술
보유기관
고려대학교
기술유형
일반기술
등록일
2009-01-22
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

정보 없음

관련 특허

발명명칭 정보 없음

출원번호 1020060139195