일반기술
ＢａＴｉ４Ｏ９를 이용한 ＭＩＭ 캐패시터 및 그의 제조방법
2010년 ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)의 요구조건인 4.0 fF/㎛2 이상의 정전 용량 밀도, 7 fA/pFV 이하의 낮은 누설전류, 100 ppm/V2 이하의 정전용량 전압계수(VCC), 50 이상의 품질계수를 모두 만족시킬 수 있는 MIM 캐패시터가 제공된다. 해당 기술에따른 MIM 캐패시터는 상부전극과 하부전극; 및 상부전극과 하부전극 사이에 50~70 nm의 두께를 가지고 형성되는 BaTi4O9 박막을 포함한다. 또한, MIM 캐패시터의 제조방법도 제공된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-01-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020070010745