일반기술

유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 유기박막 트랜지스터

해당 기술은 유기박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 해당 기술에 따르는 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 평평한 유전체층의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계, 노즐을 구비한 도가니 내부에 올리고티오펜 유도체 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 올리고티오펜 유도체 화합물을 증기화하는 단계, 상기 올리고티오펜 유도체 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계, 상기 유전체층의 상부에 상기 올리고티오펜 유도체 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 실온에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터 빔 증착법을 이용하여 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 절연층의 표면에 유기물이 균일하게 증착될 수 있다.