일반기술

나노선­나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법

해당 기술은 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 나노선을 감싸도록 형성되는 터널링층 표면에 상기 나노선과 이종인 금속 나노입자를 형성하여 전하저장층을 구성함으로써, 전하 전송 능력이 뛰어난 나노선과 정보 저장 능력이 뛰어난 금속 나노입자의 상호보완 작용으로 저전압에서 동작할 수 있고 동작 속도를 증가시킬 수 있는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자를 이루는 구성수단은, 비휘발성 메모리 전자소자에 있어서, 실리콘 기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하는 반도체 나노선과, 상기 반도체 나노선을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 터널링층과, 상기 터널링층을 감싸도록 형성되되, 상기 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열 증착시켜 얻어지는 금속 나노입자로 구성되는 전하저장층과, 상기 전하저장층을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 산화물층과, 상기 산화물층을 감싸도록 형성되되, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 실리콘 기판 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.