일반기술

반도체 발광소자용 지지기판 및 이를 이용한 수직구조의 반도체 발광소자 제조 방법

해당 기술은 수직구조를 갖는 그룹 3-5족 화합물 반도체를 이용하여 고휘도 발광소자(high-brightness light emitting devices)용 준비된 지지기판, 상기 지지기판을 이용한 고휘도 발광소자의 제조방법에 관한 것이다. 상기 준비된 지지기판(Prepared Supporting Substrate;'||chr(39)||'PSS'||chr(39)||')은 선택된 지지기판(SSS)위에 순차적으로 적층되어 형성된 희생층, 히트 씽크층 및 본딩층으로 이루어진다. 상기 PSS를 이용한 고휘도 발광소자 제조 방법은, 사파이어와 같은 최초 성장기판의 상부에 반도체 다층 발광구조체를 적층하여 성장시킨 제 1 웨이퍼를 준비하는 단계, PSS를 준비하는 단계, 상기 제 1 웨이퍼와 상기 PSS를 웨이퍼 본딩시키는 단계, 상기 본딩된 결과물로부터 상기 제 1 웨이퍼의 최초 성장기판을 분리 제거하는 단계, 상기 결과물에 오믹접촉 전극 형성 및 열처리 공정등과 같은 후속 공정 진행하는 단계, 및 상기 PSS의 SSS를 분리 제거하고 단일칩으로 절단하는 단계를 구비한다.해당 기술에 의하여 별도의 PSS를 이용하여 최초 성장기판으로부터 분리(Lift-Off)된 반도체 단결정 다층구조체의 손상을 줄임으로써, 전체적인 성능이 향상된 수직구조의 그룹 3-5족 질화물계 반도체 발광소자를 제공할 수 있게 된다.