일반기술
티타니아 나노와이어 형성방법
해당 기술은 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 티타니아 나노와이어의 형성방법은 티타늄 완충층 상에 금촉매층이 형성된 티타늄기판을 마련하는 단계; 상기 티타늄기판을 증착장치의 반응영역으로 이동시키는 단계; 상기 반응영역을 유지온도 600℃ 내지 800℃ 분위기로 2분 내지 15분간 유지시간을 갖는 단계; 및 상기 반응영역으로 반응가스 및 티타늄소스를 제공하여 상기 티타늄기판 상에 티타니아 나노와이어를 형성시키는 단계;를 포함한다. 해당 기술의 상기 티타늄기판 위에서 성장한 티타니아 나노와이어는 직경이 작고 밀도가 향상되었고, 또한 결정성도 더 좋으며 동일면적에 대하여 성장밀도가 높아 광촉매 특성이 향상되는 효과가 있다.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 기타 화학
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-01-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020070040977