일반기술

폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법 및 이에 의해 형성된 미세전극

해당 기술에따른 폴리디메틸실록산을 이용한 미세전극 형성 방법은, 폴리디메틸실록산의 프리폴리머와 경화제를 20:1 내지 5:1의 질량비로 혼합한 블렌드를 실리콘 웨이퍼 상에 스핀코팅하여 폴리디메틸실록산 기판을 형성하는 단계, 상기 폴리디메틸실록산 기판을 표면 전처리하는 단계, 상기 표면 전처리된 폴리디메폴틸실록산 기판의 상부에 티타늄 층 및 금 층을 순차적으로 증착한 후 미세전극을 패터닝하는 단계, 상기 패터닝 된 미세전극의 상부에 포토레지스트를 형성하고, 상기 포토레지스트가 형성되지 않은 폴리디메틸실록산 기판의 상부에 폴리디메틸실록산을 스핀코팅하는 단계, 및 상기 패터닝 된 미세전극의 상부에 형성된 포토레지스트를 제거한 후, 상기 패터닝된 금 층의 상부에 금 전기도금을 수행하여 미세전극을 패키징하는 단계를 포함한다.해당 기술에의하면, 포토리소그라피 공정 및 전극 부분의 도금을 통한 폴리디메틸실록산 미세전극의 패키징 방법을 제공함으로써 간단한 공정으로 인하여 비용을 절감시키고, 실패율을 감소시키며, 폴리디메틸실록산 기판의 전처리 및 증착 조건을 최적화시킴으로써 금속 미세패턴의 부착력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.