일반기술

비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법

해당 기술에따른 비휘발성 메모리 전자소자의 제조방법은, 반도체 기판의 상부에 헥사메틸디실라잔 층을 도포하고, 나노 채널을 상기 헥사메틸디실라잔 층의 상부에 형성하는 단계, 상기 나노 채널이 형성된 헥사메틸디실라잔 상부에 제 1 포토리소르라피를 수행하여 제 1 공간부를 형성하고, 상기 제 1 공간부 및 제 1 포토레지스트 상에 금속층을 적층하여 상기 나노 채널의 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 나노 채널의 표면에 원자층 증착법을 수행하여 터널링 층, 전자저장 층 및 산화물 층을 포함하는 기억소자층을 실린더 형태로 형성하는 단계, 상기 기억소자층, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 상기 반도체 기판의 상부에 제 2 포토레지스트를 도포하고, 포토리소그라피를 수행하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제 2 공간부를 형성하는 단계, 상기 형성된 제 2 공간부 및 제 2 포토레지스트상부에 금속층을 적층하고, 상기 제 2 포토레지스트를 제거하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.해당 기술에의하면 기억소자층인 터널링 층, 전하저장 층, 산화물 층을 알루미나를 이용하여 원자층증착법으로 형성하기 때문에, 메모리 동작 전압을 감소시킬수 있으며, 보다 빠른 메모리 동작 속도를 구현할 수 있으며, 채널의 길이를 조절할 수 있고, 나노 채널 주위에 실린더 형태로 터널링 층, 전하 층 및 산화물 층을 균일하게 코팅하여 메모리 소자 자체의 화학적, 물리적 안정성 및 소자의 동작 전압을 감소시킬 수 있으며, 간단한 공정으로도 반도체 나노 채널에 메모리 구조 및 실린더 형태의 게이트를 제조할 수 있도록 지원함으로써, 전자의 표면 산란을 현저히 줄여 메모리 전자소자의 동작 속도를 개선할 수 있는 효과가 있다.