일반기술

열충격 내성이 개량된 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연칙 및 그의 제조 방법

흑연 기재, 흑연-탄화규소 복합 재료층 및 탄화규소 피복층으로이루어지고, 상기 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이에 있는 흑연-탄화규소 복합재료층 중의 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소 피복층에 이르기까지 점진적으로 증가하는구배를 갖는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복흑연 치구.1. 흑연 기재, 흑연-탄화규소 복합 재료층 및 탄화규소 피복층으로 이루어지고, 상기 흑연 기재와 탄화규소피복층 사이에 있는 흑연-탄화규소 복합 재료층 중의 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소 피복층에 이르기까지 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 것이 특징인 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구.2. 제1항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층의 두께가 전체 피복층 두께의 25 내지 75%인 흑연 치구.3. 제2항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층의 두께가 약 17 내지 900㎛이고, 탄화규소 피복층의 두께가 50 내지 300㎛인 흑연 치구.4. 제1 내지 3항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층이 복합 재료 중의 탄화규소함량이 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 20% 이하로부터 80% 이상으로까지 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 것인 흑연 치구.5. a) 적절한 형상으로 가공된 흑연 기재를 고온에서 할로겐화 기체를 사용하여 고순도화시키는 단계, b) 흑연 전구체로서 메탄(CH4)을, 그리고 탄화규소의 전구체로서 메틸트리클로로실렌(CH3SiCl3)을 사용하는 화학 증착법으로 흑연-탄화규소 복합 재료를 탄화규소의 함량이 흑연 기재로부터 표면의 탄화규소층에 이르기까지 점진적으로 증가하도록 증착시키는 단계, c) 그 위에 탄화규소층을 다시 화학 증착법으로 증착시키는 단계로 이루어진 것이 특징인 반도체 웨이퍼처리용 탄화규소 피복 흑연 치구의 제조 방법.6. 제5항에 있어서, 상기 단계 a)를 1250℃ 이상의 온도에서 HCl 기체를 사용하여 열처리함으로써 행하는 것이 특징인 방법.7. 제5항에 있어서, 상기 단계 b)를 1050 내지 1500℃의 온도 및 10 내지 360 Torr의 압력에서, 공급 기체의조성을 CH4 2 내지 24%, CH3SiCl3 2 내지 13% 및 H2 45 내지 90%로 하되, 증착이 진행됨에 따라 점차적으로 CH4의 농도는낮추고 CH3SiCl3의 농도는 증가시켜 복합 재료 중의 탄화규소 함량이 점차적으로 증가하도록 증착시킴으로써 행하는 것이특징인 방법.8. 제5항에 있어서, 상기 단계 c)를 1050 내지 1500℃의 온도 및 10 내지 360 Torr의 압력에서, 공급 기체의조성을 CH3SiCl3 5 내지 15% 및 H2 85 내지 95%로 하여 탄화규소층을 상기 흑연-탄화규소 복합 재료층 상에 증착시킴으로써 행하는 것이 특징인 방법.