일반기술
망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법
카드뮴셀레나이드(CdSe)에 망간을 도핑시켜 전체적으로 반자성체의 성질을 가짐으로써 스핀트로닉스에의 응용이 가능한 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점의 제조방법이 제공된다. 해당 기술에따른 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드의 제조방법은 (a)카드뮴 소스와 망간 소스를 파라핀오일 용매와 올레익산 계면활성제에 용해시켜 제1 용액을 제조하고, 셀레늄(Se) 금속을 파라핀오일에 용해시켜 제2 용액을 제조하는 단계; (b)제2 용액에 상기 제1 용액을 첨가하거나, 제1 용액에 상기 제2 용액을 첨가해주어 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 생성시키는 단계; (c)망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 소정의 발광영역 파장과 띠간격을 가지도록 성장시키는 단계; 및 (d)성장된 망간이 도핑된 카드뮴셀레나이드 양자점을 세척해주는 단계를 포함한다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-01-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
발명명칭 정보 없음
출원번호 1020070007701