일반기술

고주파 소자용 SiGe 이종접합 에피공정 기술

SiGe 고주파 반도체 소자 제작에 필요한 SiGe/Si 이종접합 에피성장 및 고온 실리콘 에피성장 그리고 실시간 도핑된 실리콘 다결정 박막성장의 공정기술임 □ 실시간 n-형 도핑된 Si 다결정 박막성장 공정기술 전수 - 실리콘 기판을 습식식각으로 세척하여 표면을 청결하게 하고, - 에피성장 시스템 (AP/RPCVD system)에 로드락 챔버를 통하여 실리콘 기판을 장입하고, - 챔버 내의 온도를 성장온도로 조절한 다음, - SiH4, PH3 가스의 주입량과 챔버 압력을 조절하여 n-형 불순물의 함량을 결정하고. - 단순하고 정확하게 실시간 n-형 도핑된 Si 다결정층을 성장하는 공정으로 - 성장이 완료되면 실리콘 기판을 성장시스템에서 제거하고, - 박막성장 공정기술에 관련하여 소자에 응용하는데 필요한 물성의 평가를 위하여 전기적, 물리적, 광학적 측정분석을 하고, - 신뢰성과 uniformity에 대한 기술검증을 제공함 <활용방안 및 기대성과> - 에피성장에 대한 공정기술을 적용하여 통신용 반도체 소자를 개발하고, 전수업체의 신뢰성 Test를 거쳐 양산화로 성공시킴으로써 국내에서 고주파 실리콘-게르마늄 반도체의 국내 산업기반을 조성함 - SiGe 에피기술을 이전받고, 필요한 시설과 장비를 추가적으로 구축한다면 RF통신용 HBT 단위소자는 물론 RFIC, 발광소자 기술로 빠르게 발전하여 고부가가치 통신부품의 국산화로 연계할 수 있음 - SiGe 이종접합의 에피성장에 대한 공정기술은 향후에 SiGe 고주파 소자를 제작하는데 사용될 수 있어 다양한 RF&광 통신용 고속-고성능 반도체 소자의 국산화에 기여할 수 있음 - 통신용 SiGe 반도체 소자는 0.1불 정도이므로, 5,000만대의 기기에 0.1불인 소자가 2개씩 장착된다면 가격만 1,000만불(100억원) 이며, 그 중에서 10%를 생산하여 공급할 경우 국산화를 통하여 연간 10억원대의 수입대체 효과를 낼 수 있고, 핵심부품의 수입가격을 하락 시킬 수 있어서 국익에 대한 파급효과가 큼 - 반도체 소자의 개발에 성공하여 수익성이 증빙될 경우 국내기업이 사업에 투자할 가능성이 높아, 고주파통신 시장이 급격히 커지는 상황에서 바람직함