일반기술
단일 타겟을 이용한 도핑박막 제조방법
해당 기술은 호스트와 도펀트가 혼합된 단일 타겟을 사용함으로써 단일 증발원의 사용이 가능하고, 이에 따라 간단한 구성과 장치 사이즈이 소형화가 가능하게 하고, 나아가 1:1000 이하의 도핑률과 대면적을 갖는 도핑박막의 제조를 가능하게 하는 단일 타겟을 이용한 도핑박막 제조방법에 관한 것이다.단일 타겟을 이용한 도핑박막 제조방법은 두 종류 이상의 호스트와 도펀트를 소정의 도핑률에 의해 균일하게 배합하여 얻어진 단일 타겟을 이용하여 도핑박막을 증착시키되, 상기 소정의 도핑률은 상기 호스트와 상기 도펀트만으로 이루어진 개별 타겟에 대한 목표 증착조건에 있어서의 호스트 증착률과 도펀트 증착률 및 사기 도핑박막의 목표 도핑률에 의거하여 결정된다. 상기 소정의 도핑률은 간단한 수식에 의하여 정해질 수 있다. 나아가 상기 목표 증착조건은 진공증착인 경우에 온도값으로 정해지고, 레이저 증착인 경우에는 레이저빔 플루언스로 정해질 수 있다. 그리고 상기 도핑박막 증착 과정에서 질소나 아르곤을 주변가스로 사용하는 것이 바람직하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- (재)충남테크노파크
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-01-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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