일반기술

발명의 명칭 3극관 전계방출소자 및 그 제조방법

3극관 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 탄소나노튜브가 수직 성장된 수십 나노미터 크기의 각 미세공마다 게이트전극을 구비시켜 저전압 구동이 가능하면서 높은 발광효율을 보이는 3극관 전계방출소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 탄소나노튜브가 성장된 미세공마다 게이트전극을 구비시켜 게이트전극과 전자방출원의 거리를 수 나노미터 이내로 줄임으로서, 한 개의 화소에서 기존의 방식보다 수십 내지 수백 배 더 많은 수의 에미터를 얻을 수 있으며, 이로 인하여 지속적이고 안정적인 전자방출 특성을 보일 수 있다. 또한 게이트전극과 전자방출원의 거리를 수 나노미터 이내로 줄임으로서 낮은 전계에서도 높은 전자방출효과를 보인다. 탄소나노튜브가 성장된 미세공마다 게이트전극을 만들어주어 게이트전극과 전자방출원의 거리를 수 나노미터 이내로 줄임으로써 한 개의 화소에서 기존의 방식보다 수십 내지 수 백배 더 많은 에미터를 제작할 수 있으며 지속적이고 안정적인 전자방출 특성을 보이고 낮은 전계에서도 높은 전계방출효과를 보이므로 베터리를 이용한 전자제품에 응용이 가능하다. 또한 알루미나 구조체를 이용한 3극관 구조의 전계방출소자를 제작함에 있어서 양극산화법을 이용하기 때문에 기존의 포토리소그래피법을 이용하는 것보다 공정단계를 현저하게 줄일 수 있어 제조단가를 낮출 수 있다.