일반기술

전력변환시스템의 스위칭 손실을 줄이기 위한 레벨 쉬프팅 구동회로

해당 기술은 반도체 스위치 구동용 드라이버가 고속 스위치 펄스를 출력하도록 B급 푸쉬풀(push-pull) 증폭기로 된 스위칭 회로에 MOSFET 또는 전력반도체를 사용한 스위칭 출력부로 구비된 반도체 스위치 구동용 드라이버임. MOSFET 또는 전력반도체의 게이트에 존재하는 기생 커패시턴스에 의해 입력전압의 충,방전을 연속적으로 실행할 때 생기는 스위칭 손실을 해소하기 위해 레벨쉬프트 회로를 구성하여 게이트에 쉬프트 된 +/- 전위를 교대로 인가하는 것을 특징으로 한 반도체 스위치 구동용 레벨 쉬프트 구동회로를 개시함. MOSFET에서 발생하는 스위칭 전력손실을 최소화하기 위하여 기생 커패시턴스(Cgs)의 신속한방전이 가능하도록 함으로써, 스위칭 MOSFET 또는 기타 전력반도체의 턴오프(turn-off) 지연시간을 크게 단축하여 전력소모를 감소시킬 수 있는 저전압 설계가 가능하고, 발열량을 줄여 MOSFET 또는 기타 전력반도체의 수명을 연장시킬 수 있게 되어 제품의 신뢰성을 높임.