일반기술

앰플-튜브 법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 산화아연 박막제조방법

□ 기술개요해당 기술은 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 산화아연 박막 제조방법에 관한 것으로, 해당 기술은 기판 위에 성장된 도핑되지 않은 ZNO계 박막 또는 ZNO계 단결정 기판을 고진공의 앰플 튜브안에서 도펀트로서 P와 AS을 기상 확산시키는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 해당 기술에 따르면 매우 어려운 문제로 알려져 있는 피형 전도특성을 갖는 ZNO 박막 제조의 문제를 해결할 수 있어 현재 단파장 영역의 LEDS나 LDS에 널리 사용되고 있는 GAN와 구조적으로나 광학적으로 비슷한 특성을 가지고 있어 광소자 재료로서 많은 주목을 받고 있는 ZNO를 활용할 수 있다는 장점을 가지고 있다. □ 기술내용기판 위에 상정된 도핑되지 않은 ZNO계 박막 또는 ZNO계 단결정 기판을 고진공의 앰플 튜브안에서 도펀트로서 P와 AS을 기상 확산시키는 것을 특징으로 하는 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 ZNO 박막 제조방법.