일반기술

회전식 플라즈마 용사법에 의한 집적회로 패키지용 히트싱크 제조방법

IC 패키지의 하나인 기밀형 4측면 밀봉 타입에 응용하기 위한 히프싱크 기판을 회전식 플라즈마 용사법에 의한 제조방법이 개시된다. IC 패키지용 히트싱크 제조방법에 있어서, 모재로서 무산소동을 준비하는 단계; 상기 모재의 일면에 NI 도금을 실시하는 단계; 상기 모재의 다른 쪽면에 절연성, 내식성 및 열전도성을 부여하기 위해 다음 (A) 내지 (D)의 공정을 실시하는 단계; (A)인위적인 표면 거칠기를 부여하기 위해 그리트 블라스팅을 실시하는 단계; (B)상기 모재 표면을 흑화처리하는 단계; (C)상기 흑화처리된 표면을 NI 도금하는 단계; (D)상기 NI 도금 위에 알루미나를 용사 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 용사는 회전식 플라즈마 용사법에 의해 용사 거리 70-120㎜, 용사각도 90°, 아크가스(AR) 유량 50-130 SCFH, 보조가스(H2) 유량 6∼100 SCFH, 캐리어 가스(AR) 유량 21-40 SCFH, 분말공급율 3.5LB/HR, 아크(AR) 가스압 6.2 KG/㎠, 보조가스(H2) 압력 4.5 KG/㎠, 캐리어 가스(AR) 압력 4.5 KG/㎠의 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 IC 패키지용 히트싱크 제조방법.