일반기술

반도체 에피택셜 구조

□ 기술개요각종 구조체에 매우 깨끗한 고품질의 얇은 에피택셜 반도체 필름 (질화물을 포함한 Si, Ge 및 III-V 화합물)은 성장된다. 1. 필드 준비를 위한 n-AlGaAs GaAs 헤테로시스템을 토대로 2차원 전자가스 및 8 -150 GHz의 범위를 가진 양극 초고주파 및 저잡음 트랜지스터를 가진 선택적으로 약물 처리된 다중층 반도체 구조. 2. 0.85-1.00 μm의 (MHS) 파장에 표면 레이저 제조를 위한 GaAlAs/InAlAs/GaAs 근거 한 다중층 헤테로에픽택셜 구조. 3. 4 -12μm 파장에 작동하는 광검출기를 제조하기 위한 Ge Si 헤테로 구조체를 토대로 하는 MHS. 4. 2 -20 μm 파장에 작동하는 광검출기 제조를 위한 AlGaAs/GaAs 헤테로 구조체를 토대로 하는MHS 5. 블루그린 범위 (500 nm)의 단파 발광 장치를 위한 제3그룹 금속의 질화물 반도체 필름. 6. 높아진 온도에 작동하는 광검출기와 강력한 고주파 트랜지스터 제조를 위한 GaN/AlN/Al203 이질 접합을 토대로 하는 MHS. 7. 저온에 작동하는 트랜지스터를 위한 실리콘 구조체. 8. ""다공성 실리콘의 실리콘("silicon on porous silicon")"" 구조체 (사파이어 실리콘("silicon on sapphire") 구조의 아날로그) 9. 새로운 장치의 연구와 개발을 위한 콴탐 사이즈(quantum-sized) 성질을 가진 반도체 나노스트력쳐에 기초한 MHS. □ 기술적 평가 및 경제적 이점 엔지니어링 솔루션, 최고 운영 매개변수 및 저가의 참신한 제품. □ 응용분야마이크로-, 광전자공학, 레이저 시스템, 원거리 통신, 위성 텔레비전 등의 요소