일반기술
전계효과 홀센서
신유형의 자기센서전계효과 홀센서(FEHS)가"실리콘 온 인슐레이"(SOI)기술 기반으로 개발되었다. *SOI 구조의 초박막 실리콘 층(약 0.1Mcm)과 수평 더블 게이트 MOS 구조는 독특한 FEHS 특성과 FEHS 파라미터의 유동적 제어를 제공한다. FEHS의 특색"자기유도 신호의 탐지와 증폭의 결합, -"독특한 자기민감성(탐지 제한이 10-7T 이상);"광범위한 운용 온도(300℃까지);"낮은 에너지 소비(전통적인 반도체 홀 센서보다 10-1000배 가량 절약);"높은 이레디에이션 강도;"자기민감성의 동적 범위, 자기민감성의 온도계수, 동작 전류, 방사능 안정성의 전기장 제어;"자기유도 신호 처리의 새로운 가능성;"자기제어 IC 개발 가능성. FEHS
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- (재)송도테크노파크
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-02-20
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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