일반기술
고저항 실리콘(silicon))- 고품질 실리콘 주괴(鑄塊)
취득 방법- 도가니 없는 지역에서의 융해. 모노크리스탈의 성장을 위한 장비 - 덴마크 회사 Haldor Torsoe 회사 Fz-20. 배양(raising)수단 - 습도 J 1 ppm과 산소 J 2ppm이 함유된 아르곤(Ar) ОСЧ 주괴(鑄塊) 크기 - 길이 1,5 미터, 직경 125mm. 결정 성향 - (III) 전도성(conductibility) 형태 - n-타입 완성 구조 - 무전위(without dislocation) 소재 전자 Hall mobility - 1400 cm2/B sec. 비저항(specific resistance) - 5kOm cm 비기본 나르개(minority carrier) 수명 - 2mc다 모노크리스탈 중성자 활성화 빈도 - 스펙트럼 분석
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- (재)송도테크노파크
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-02-20
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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