일반기술

박막 필름의 반응 이온 빔 에칭 및 이온 빔 석출을 위한 냉음극 이온 빔 소스

리본 모양의 빔 이온 소스 세목 ^빔 넓이 mm200-2000 ^중간 이온 에너지 eV 100-1500 ^빔 전류 mA 500-3000 ^멀티빔 이온 소스 세목 Radical M-100 Radical M-160Radical M-200 Radical M-300 ^빔 직경 mm 100 160 200 300 ^전류 밀도 mA/cm2 7 22 1 ^매개 이온 에너지, eV 300 1000 300 1000 150 1000 150 1000 ^작용 가스 : CxFy,CxCIy, CxFyClz, CHF3, SF6, CxHy, O2, Ar등 ^이온 소스 기회 : 처리 레이어 Si02,S3N4, Si, GaAs, AlCu, NiFe, 석영, 유리 등. 최소 공간 해상도, m <0.2 ^에칭 선택비(Si02:Si, SiO2:GaAs) 15:1 ^에칭 (Si02) 비율, /min 0.3 ^석출 비율(DLS) /min 0.15 표면 이온 빔 입사각 변화에 의한 마이크로스트럭쳐 프로파일 컨트롤. 낮은 에너지 전자플럭스에 의한 처리 표면 전하 제어. 압전기 ^ 수정 공진기의 주파수 조정, 석영 기판의 세선화; 음향전자공학 ^표면초음파 기반 생산 장비 재료 에칭; 레이저 기술 ^고체 상태 레이저용 소재 에칭; 보호 및 하드 코팅 ^다이아몬드와 같은 필름 석출; 저항기 제작 ^정밀 저항기 조절