일반기술
플라스마 이머전 이온 임플란터의 실험 세트업
기본 모듈 " 플라스마 소스 및 정잔하 와퍼 홀더 진공 체임버 " 마이크로웨이브 플라스마 제너레이터 "와퍼 바이어스용 고전압 펄스 제너레이터 " 가스 피딩 시스템 " 진공 시스템" 완전한 프로세스 싸이클 제공 PC기반 제어 시스템 SPECIFICATIONS OF PII -IMPLANTER "와퍼 직경 - 150 mm "이온 플라스마 밀도 - 1х1010-5х1011сm-3 "와퍼의 이온 플럭스 5мА/сm2 "이온 에너지 - 0.2 -5keV "이온 플럭스의 가로 비균질도 - 150 мм < 2% "잔류 가스 압력 - 5х10-6 Torr "작동 가스 BF3, PH3 "임플란테이션 모드 단파(short pulses) "바이어스 펄스 지속 시간: 1-20s "주파수 : 0.5"- 5 кHz진폭: -(0.2 - 5) кV "처리 시간 < 3 min
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- (재)송도테크노파크
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2009-02-20
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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