일반기술

질화물 반도체 발광소자

해당 기술은 관통전위를 줄이기 위해 많은 방법의 하나로 기판상에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 형성하여 줌으로써 그 꼭지점 주위로 관통 전위를 집중시킨 후에 여러 가지 방법을 통하여 전위가 성장하는 것을 막아주어 관통전위가 적은 질화물을 이용한 발광소자에 관한 것이다.- 해당 기술의 질화물 반도체 발광소자는 꼭지점을 구비하도록 패커닝 된 기판을 포함하는 특징을 가지고 있다.- 해당 기술은 기판에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 적용하여 관통전위를 줄이기 위한 것으로 관통전위가 적은 고품위 질화물계 발광소자를 제공한다.- 해당 기술은 기판상에 요철을 가지는 결함이 적은 질화물 박막을 사용하여 발광소자를 구현함으로써 기판상의 산란 회절 효과를 증대 시켜 광 추출효율을 증대 시킬 수 있으며 결함이 적어짐으로 인해 고신뢰성, 고휘도의 질화물계 발광 소자를 제공한다.- 기판상에 요철 구조를 가짐으로 인해 광의 산란, 회절 효과 등에 의하여 광 추출 효율이 증가하는 장점도 있다.