일반기술

절연체 반사면을 구비하는 플립칩 발광소자

□ 기술개요 해당 기술은 발광소자에 대한 것으로 고반사층을 형성하여 발광손실을 최소화 하는 동시에 우수한 정전기방전(ESD) 특성을 갖는 플립칩형 질화물 반도체 발광소자에 대한 것이다.□ 기술의 특징- 해당 기술은 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 투광성 기판과 상기 기판 상면에 순차적으로 형성된 제1질화물 반도체층, 활성층 및 제2질화물 반도체층을 포함한 플립칩 형태의 발광소자에서 제2질화물 반도체층의 부분에 제1굴절율을 갖는 제1절연체막과 제1굴절률보다 큰 제2굴절률을 갖는 제2절연체막이 교대로 적층되어 이루어진 절연체 반사막을 갖는 발광소자에 대한 것이다.- 해당 기술은 절연체 반사막의 고반사율 특성을 이용하여 발광 손실을 최소화 할 뿐만 아니라, 그 절연 특성으로 ESD 특성이 크게 개선된 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다.- 절연체 반사막을 사용함으로써 원하지 않는 방향으로 손실 되는 광을 줄여 발광 효율을 높일 수 있으며 절연의 특성을 이용하여 보호막으로도 사용이 가능하다. 또한 스크라이브(scribr) 공정을 거친 후에 칩의 옆면에 까지 절연체 반사막을 형성 할 경우에는 소자의 ESD 특성 향상도 기대 할 수 있다.