일반기술

아발란치 광검출기 제조방법

해당 기술은 아발란치 광검출기의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 식각중지층을 이용하여 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 1번의 확산 공정으로 가드링 영역과 본접합 영역을 형성하는 새로운 공정을 제시하여 신뢰성 있는 아발란치 광검출기 제조가 가능하도록 하는 것이다.- 해당 기술은 아발란치 광검출기 제조 공정에서 1번의 확산 공정으로 가드링 영역과 본접합 영역을 형성하는 새로운 방식으로서, 기판 상에 광흡수층과 식각중지층이 삽입된 클래드층을 구비하는 화합물 반도체 구조물을 준비하는 단계와, 상기 클래드층 상부에 형성될 본접합 영역의 식각중지층이 노출되도록 상기 식각중지층의 상측에 구비된 클래드층을 식각하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 확산물질층을 형성하되, 상기 본접합 영역과 가드링 영역 상부에 패턴이 잔류하도록 하는 단계와, 상기 클래드층의 식각깊이에 따라 상기 본접합 영역과 상기 부유 가드링 영역에서의 확산 깊이가 서로 다르도록, 상기 확산물질층을 확산시키는 단계와, 상기 확산물질층의 패턴 및 상기식각중지측의 상측에 구비된 클래드층을 제거한 후, 상기 본접합 영역 상에 형성된 식각중지층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함함으로써, 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.- 식각중지층의 사용으로 인해 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.