일반기술

메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법

해당 기술은 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 기 판상에 알루미늄을 포함하는 활성층과 클래드층을 메사형으로 형성하기 위한 식각 단계 이후에, 메사 측면으로 드러나는 활성층의 알루미늄 산화 를 방지하는 폴리머 보호막을 메사 측면에 형성하는 공정을 추가하고, 메 사 측면의 재성장 공정 전에 상기 폴리머 보호막을 진공장비 내에서 고 온으로 열분해하여 제거하는 공정을 추가하는 제조방법 이다.- 해당 기술은 InGaAlAs계 매몰이종접합구조형의 레이저 다이오드 제작 공정에 있어서 메사 형성을 위한 식각 후 식각 공정의 말단에 메사의 측면에 산화방지를 위한 보호막을 형성하는 공정과 재성장에 앞서 진공 장비에서 열분해를 이용하여 제거하는 공정을 추가하므로써 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 방법이다.- 해당 기술은InGaAlAs계 또는 GaAlAs계 활성층을 포함하는 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 레이저 다이오드 제조과정에서 발생되는 메사 측면을 통한 알루미늄의 산화를 방지할 수 있으므로 레이저 다이오드의 특성이나 신뢰성이 우수한 제품을 제조할 수 있는 효과가 있다.- 해당 기술은 식각 단계 말미에 간단한 단계를 추가하는 것이어서 기존의 메사 활성층의 산화방지를 위해 사용되는 p형인듐인 커버구조 형성방법에 비하여 레이저 다이오드 제조 공정이 간편하며, 따라서 레이저 다이오드의 수율이 높아지는 효과가 있다.